>>30374375
>>舊型DUV突破物理限制
其實這個也是假的www
事實上duv反覆蝕刻早就是行之有年的技術
以前台積和三星為了省euv費用就在用這招了
只是華為把它包裝成N+1、N+2的DUV技術
說穿了就是反覆蝕刻而已
早期n10到n7都是這樣玩
問題在於這樣工序很多 良率很難壓低
比方來說n7用duv可能需要蝕刻30次
等於光是進出蝕刻機台至少就需要30次
更別說還要加上前後製程等
你進越多次機台良率就有機會越差
加上反覆蝕刻的精度本來就不高
因為你每次畫的線可能對準上都會有些許偏差
但改用euv只需要12~15次的蝕刻
光是進出機台次數減少對晶圓上particle的改善就大幅增加
這也是為何N+1、N+2技術良率很糟的緣故
連台積前期都只能duv把n7的良率拉到忘了是84%~接近90%還多少?
後來導入euv後才大幅提升
我當初就是在台積顧duv機台的
說真的啦 這些商業說法騙騙外行的還行啦 業內的一看就知道破綻了
我連自己大學碩士學了至少6年半導體都不敢自稱懂半導體
不懂現在怎麼全球一堆非本科的可以整天在網路上談半導體技術w
就像之前美國投顧師說台績優勢僅18月只超越1~2奈米ww
看了就快笑死 他知道三星一直追這1~2奈米追了至少10幾年還沒追上嗎w