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無題無名2026/07/07(二) 07:57:23.275 ID:1xrg3EbsNo.30606001del
記憶體荒延燒,SEMI 聯手美光、三星、SK 海力士警告美國政府:干預價格恐讓短缺更糟

作者 TechNews 編輯台 | 發布日期 2026 年 07 月 06 日 11:40 | 分類 Samsung , 半導體 , 晶片

全球記憶體晶片短缺問題持續升溫,半導體產業協會 SEMI 致函美國政府高層官員,警告若政府試圖透過干預價格或產能來解決供應短缺問題,反而可能使局勢進一步惡化。

SEMI 成員涵蓋全球三大記憶體製造商──美國美光(Micron)、韓國三星電子(Samsung)及 SK 海力士(SK Hynix),以及台積電(TSMC)、英特爾(Intel)等逾 3,000 家半導體相關企業。該協會在致函財政部長史考特·貝森特(Scott Bessent)、國防部長皮特·赫格塞斯(Pete Hegseth)、商務部長霍華德·盧特尼克(Howard Lutnick)及國務卿馬可·魯比歐(Marco Rubio)的信中明確表示:「雖然針對性政策有助於加速國內供應鏈韌性,但干預定價或產能決策的措施,將有延長需求低迷的風險。」

此次致函的背景,是俄亥俄州共和黨參議員伯尼·莫雷諾(Bernie Moreno)於今年 4 月曾去信商務部長盧特尼克,要求政府採取行動「確保美國汽車產業獲得充足的記憶體晶片供應」。SEMI 此舉正是對此訴求的直接回應與反制。

建議以租稅優惠取代市場干預

SEMI 在信中強調,目前市場正透過擴大美國境內製造投資及增加長期採購合約來因應供需失衡,並呼籲政府與國會合作,推動針對消費電子產品的稅額抵減或扣除政策,以抵銷晶片短缺所導致的手機、筆記型電腦等產品價格上漲壓力。

這一立場與蘋果公司(Apple)的遊說策略截然不同。蘋果正積極向政府施壓,希望獲准向被列入黑名單的中國記憶體廠商長鑫存儲(CXMT)採購晶片。SEMI 的信中雖未直接提及中國供應商,但其主張顯然傾向於在現有框架內尋求解決方案,而非引入新的市場參與者。

從供需面來看,儘管全球記憶體製造產能預計每年成長約 19%,但新建晶圓廠需要數年時間才能正式投產。在 AI 超大規模資料中心需求持續強勁拉動下,三星與 SK 海力士均預警,記憶體短缺情況可能延續至 2027 年甚至更長時間。

消費市場已明顯感受到衝擊。部分消費者轉而尋求較為平價的 DDR4 記憶體做為替代方案,帶動相關需求回升,甚至促使廠商重啟 DDR4 主機板及記憶體套件的生產線。然而,由於整體價格仍居高不下,大多數消費者選擇延後升級計畫。數據顯示,今年第一季 PC 銷售量下滑 7%,全年出貨量預估將萎縮 14%,創下近三年來最大幅度的市場收縮。

SK hynix, Samsung, Micron among semiconductor industry group lobbying against government intervention on domestic memory chip supply — says move would worsen situation, suggests tax deductions on consumer electronics instead
Chip Industry Urges US to Avoid Moves That Distort Memory Market

關鍵字: SEMI , 美國 , 記憶體晶片 , 資料中心

無名2026/07/07(二) 08:04:22.581 ID:1xrg3EbsNo.30606035del
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記憶體Q3合約價再飆!三大原廠握主導權 DRAM漲幅上看20%、NAND續漲35%~40%

2026.07.05 03:00 工商時報 李娟萍

AI需求帶動記憶體供需緊張,全球記憶體市場第三季合約價漲幅,將高於預期!業界指出,三星電子啟動第三季DRAM合約價格協商,平均產品目標漲幅上看20%;NAND Flash價格將續漲至35%~40%。

SK海力士尚未公布DRAM第三季合約價,據業界消息指稱,應較三星漲幅更高。

業者表示,今年記憶體市場完全轉為賣方市場,三大原廠包括三星、SK海力士及美光,握有定價主導權。無論AI伺服器、智慧手機、PC、汽車電子、網通設備,或機器人等終端產品,均仰賴DRAM及NAND供貨,一旦停止採購,整機出貨將受影響。

因此,即使記憶體漲價造成產品成本大增,多數客戶仍須接受新價格,以確保供應穩定。

業者指出,隨AI基建持續擴張,近年大型雲端服務業者(CSP)及系統廠,積極與記憶體原廠簽訂長期供貨協議(LTA)及策略合作協議(SCA),提前鎖定未來數年供貨來源,使市場現貨供給更吃緊,也提高原廠議價能力,價格循環已由過去短周期,轉向中長期供需主導。

不只DRAM漲不停,NAND Flash價格漲勢也後來居上。市場人士指出,繼SanDisk率先啟動第三季漲價後,其他原廠陸續跟進,部分產品漲幅可能高於DRAM,反映企業級SSD、AI儲存及資料中心需求持續增加,以及原廠持續控管供給策略。

多家研調機構先前預估,今年第三季DRAM及NAND合約價,將較第二季續漲,但漲幅較上半年收斂。其中TrendForce預估,一般型DRAM第三季合約價季增約13%至18%,NAND Flash約季增10%至15%。

不過,近期原廠陸續展開第三季價格協商,市場認為,最終實際成交價格,高於原先預期。

法人表示,今年記憶體市場最大變化,在於AI需求已成為價格主導力量。HBM持續供不應求,今年下半年每GB售價,可望由第二季約2.2美元,大幅提升至3.5至4美元。

DDR5、LPDDR5X及企業級SSD需求同步增加,加上主要原廠將產能持續轉向高階產品,一般DRAM及NAND有效供給增幅有限,預期第三季價格仍將維持上升趨勢,記憶體產業高獲利循環可望延續至2027年。
類別: 手機, 汽車 回應: 在新分頁回應

膽子不小2026/07/07(二) 08:05:29.766 ID:31F7O/ZYNo.30606038del
>>30606001
好的 聯合壟斷 還敢警告喔WWWWWWWWW

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