綜合避難所

記憶體新產能十年無望 三巨頭擴產全是空頭支票

根據美國銀行最新分析報告，韓國總統李在明高調宣布的”2030年產能倍增”目標面臨嚴峻的現實考驗。

6月底，李在明宣布了一項規模高達800兆韓圓的大型投資計劃，要於韓國西南部全羅道地區打造半導體產業聚落，目標是於2030年令三星與SK海力士的DRAM晶圓產能倍增。

三星與SK海力士合計佔有全球過半DRAM市佔率，於HBM領域更是超過八成，美光7月初亦宣布斥資93億美元於日本擴產HBM，預計兩年後出貨。

消息一出，市場擔憂供過於求導致價格崩跌，全球儲存概念股應聲暴跌，美光單週下跌15%，鎧俠跌去一成，SanDisk市值蒸發近兩成。

美國銀行於最新報告中指出，要評估韓國儲存晶片供給能否實質增加仍為時過早，2030年產能倍增聽起來很驚人，但拉長時間軸來看僅代表每年約15%的複合年均成長率。

扣除舊廠因技術升級關閉以及製程微縮導致的產能減損後，實際運轉的晶圓產能擴張率每年將低於10%，至2030年的增長遠遠不及倍增水準。供應鏈更傳出，SK海力士2028年實際新增的產能可能只有最初規劃的六分之一。

另一方面還有物理限制，一家國內儲存晶片業者指出，全羅道地區目前的產業結構是石化與鋼鐵園區，基礎設施從零開始建置，打底即要五年左右，後續無塵室與機台安裝還需三至四年，整個製造生態鏈建起來恐怕超過十年。

有資深產業分析師直言，該計畫於李在明任期屆滿前難以完成，目前宣示意義大於實質意義。